弓小武，1966年出生，祖籍陕西省武功县，新加坡籍。

     1992-1995年，西安交通大学博士，论文题目：“IGBT半导体功率器件的CAD设计及制造”；

      2000-2019年，在全球功率半导体领域排名持续第一位、行业老大的Infineon(英飞凌)科技公司任“高功率半导体系统事业部总工程师“；在Infineon科技公司工作期间，带领团队共开发出7大类89个高功率半导体器件核心控制器产品，创造了超过70亿人民币的产值；2016年，得到Infineon科技公司总裁Dr. Ploss Reinhard所颁发的杰出贡献奖（迄今唯一的亚太区员工）；在Infineon科技公司内部拥有130多项发明创造，授权发明专利97项，被Infineon内部刊物称为Patent GURU(无人不知，无人不晓的专利大神);

       2019年，以“特聘海外专家“身份回国效力，任教西安电子科技大学，全力支持国家半导体事业发展;

      2020年-至今，西安电子科技大学广州研究院国家海外特聘教授。回国后，专注于半导体功率器件及核心控制器研发工作，率领团队获得2021年度广东省发改委资助的氮化镓、碳化硅半导体器件及模块的封装测试技术公共服务平台项目，总金额为5000万元，发改委提供1500万元经费。回国后申请的专利数量已经达到60项以上（与IGBT产品相关的专利15项以上）。